一、半导体检测 DUV 应用场景（193nm/248nm/266nm 为主）
主要用于晶圆缺陷 AOI、掩模版检测、膜厚量测、套刻精度检测、微观形貌暗场成像、颗粒缺陷扫描、椭偏仪、紫外干涉量测，依靠短波衍射极限优势分辨50–200nm 级微小缺陷。呈欣光电长期配套半导体检测光路元件开发，针对不同紫外波段光路做材质与工艺适配。
二、核心选材硬性要求（只有两类基底可用）
1. 紫外合成熔融石英（JGS1 / 光刻级合成石英）
· 适用：248nm、266nm 系统；193nm 低端光路
· 透过率：10mm 厚度 @193nm 内部透过率＞90%，羟基 / 金属杂质＜ppm 级
· 优势：防潮、机械强度高、易大尺寸超精密抛光、成本适中
· 短板：193nm 存在微弱本征吸收，高功率长期辐照易色心，呈欣在量产中会通过提纯原料降低该缺陷影响
2. 氟化钙 CaF₂（光刻级单晶，193nm 首选）
· 适用：ArF 193nm 高端检测物镜、窗口、偏振棱镜、分光元件
· 透过率：10mm 厚 @193nm 内部透过率＞99.7%，超低色散、极低双折射
· 晶向优选：＜111＞晶向，应力双折射最小
· 短板：易潮解，需防潮封装；硬度低、抛光难度高，呈欣配套专属防潮镀膜与封装工艺缓解该问题
辅助基底 MgF₂
多用于偏振片基底、短波窗口，120nm 起透光，常用于偏振元器件。
三、关键光学参数指标（半导体检测专用等级）
1. 面形 & 表面粗糙度（最核心门槛）
· 面形精度：PV≤λ/10~λ/50 @633nm（高端检测物镜 λ/50 起步）
· 表面光洁度：10/5、20/10（美军标 Mil-0，激光损伤、散射抑制必备）
· 粗糙度 Ra：≤0.3–0.5nm，抑制杂散光、暗场信噪比提升，该抛光指标也是呈欣光电深紫外元件出厂核心检测项
2. 镀膜系统（DUV 专用 IBS 离子束镀膜为主）
· 增透膜 AR：单波长剩余反射＜0.25%，抗紫外辐照、抗色心
· 高反膜 HR：193/248nm 反射率＞97%~99.5%，膜层 35–45 层氟化物膜系
· 损伤阈值 LIDT：脉冲 10ns＞1.0–1.5J/cm²，耐受长期准分子脉冲照射
· 稳定性：10 亿次脉冲辐照透过率漂移＜1%，无膜层脱膜、老化 193/248nm反射率曲线
3. 偏振类元件专项参数（检测系统高频使用）
· 金属线栅偏振片：266nm 消光比＞1000:1，193nm 定制款消光比≥5000:1，透过率＞80%
· 格兰泰勒 / 渥拉斯顿棱镜：CaF₂材质，偏振消光比≥10⁵:1，光束偏折精度＜1 角分
4. 物镜成像参数（DUV 检测镜头）
· 数值孔径 NA：0.85~0.93（干式），最高 NA1.35 浸没式
· 分辨率：可达 80nm 半节距，适配先进制程缺陷检测
· 波前畸变 RMS＜λ/20，偏心亚微米级定心装配
· 工作距离、平场校正、远心结构适配高速扫描检测
5. 均匀性与杂质控制
· 折射率均匀性 Δn：1–5ppm 级别
· 气泡、夹杂物、点缺陷密度满足光刻级来料标准
呈欣光电对进厂光学基材执行全检筛选，严控内部缺陷，并且针对不同使用场景的特殊需求，可提供相关的标准系列产品，或专项定制服务。