4寸、6寸低应力介质膜代工服务上线（LPCVD）

1. LPCVD简介 k+-?b(z)$  
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LPCVD--Low PressureChemical Vapor Deposition低压力化学气相沉积，是化学气相沉积中的一种，LPCVD拥有很均匀的阶梯覆盖性、很好的组成成分和结构的控制、高的output（通常一次可以生长50pcs甚至更多），另外LPCVD不需要载气，因此大大降低了颗粒的污染；
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在半导体制程中，采用低压的目的是减小自掺杂（来自衬底本身的杂质），而这正是常压CVD面临的主要问题，LPCVD可以很好的解决这一问题。 *cXq=/s  
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2. LPCVD一般工艺流程 X/2GTU7?  
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装片——进舟——反应腔室抽真空——充N2吹扫并升温——再抽真空——保持压力稳定后process——关闭气体并重新抽真空——充N2至常压——取片。 L7buY(F(