漏电定位微光显微镜(EMMI)

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对于半导体组件之故障分析而言，微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)已被学理证实是一种相当有用且效率极高的诊断工具。该设备具备高灵敏度的CCD，可侦测到组件中电子－电洞对再结合时所发射出来的光子，能侦测到的波长约在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此设备全方面的应用于侦测各种组件缺点所产生的漏电流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。 Xsc5@O!  
侦测的到亮点之情况： ngN_,x7yc  
会产生亮点的缺点 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。 X+K$y:UZ  
原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等