芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 u{xjFx-  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 |r
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方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 fRC(Yyx  
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对于银浆烧结： qN}kDT  
1，银浆问题 Rq~\Yf+Pm
 
2，杂质问题 |^Nz/PN  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 tmiRv.Mhn<  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 <T{2a\i 4f  
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对于合金粘结： Ac!,#Fq  
1，金-铅系统 eYBo*  
2，锡-铅系统 xiuAW  
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引线键合的失效机理： YP{)jAK  
5"Q3,4f  
引线键合的主要方法： j|!.K|9B  
   热压焊，超声焊，面键合。 2GQq(_  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） R?!xO-^t  
5"xZ'M~=  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 Yi1*o?  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 "|w..%Wc  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 w V&{w7  
外引线的失效。 i|+ EC_^<  
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开短路的可能原因： 'gd3 w~  
[?$ZB),L8  
封装工艺方面 2)]C'  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 E;\XZ<E  
50% |9D0?Y  
芯片表面水汽吸附。 TtEc~m  
钝化层不良。 {bn
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芯片氧化层不良。 rBLkowDP*  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 y]QG;  
电迁移。 ^~}|X%q3  
D7cOEL<  
铝硅共溶。 %\#s@8=2u  
金属间化合物。 IQ[?ej3W  
芯片焊接疲劳。 bA\TuB  
热不匹配。 3)v6N_  
外来异物。 Dgh|,LqUB  
氧化层台阶处金属膜断路。