主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: AD4Ot5 • 定义MMI耦合器的材料; ;.|).y1/` • 定义布局设定; $Oi@B)=4d+ • 创建一个MMI耦合器; (|_N2R! • 插入输入面; 61=D&lb • 运行模拟; iz5WWn^ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 9Netnzv% 2SlOqH1 1. 定义MMI耦合器的材料 0
V3`rK 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: =#K$b *# 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ g1B[RSWv N_eZz#); 图1.初始性能对话框
KL4vr|i, 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” k.("<) C,#FH} 图2.轮廓设计窗口
i!DO 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 c ]!Yb-
flzHZH ^*A8 NdaB 图3.电介质材料创建窗口
ExJexjOWI^ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 9e>Dqlv − Name : Guide OD`?BM − Refractive Index (Re) : 3.3 W*/0[|n* − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ^;gwD4(hs E|> oseR 图4.创建Guide材料
>YuiCf?c7 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: AV:P/M^B − Name : Cladding eh5j − Refractive Index (Re) : 3.27 .uwD;j
+# − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 'mR9Uqq\ ]v,>!~8r 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 i1k#WgvZR
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Re^~8q[ − Name : Guide_Channel f!n0kXVu6U − 2D profile definition: Guide "Acc]CqH* − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 l\%LT{$e %?WR9}KU0 图6.构建通道
2. 定义布局设定 N6wCCXd
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: [/iT D=O,
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 JLFZy\
− Width:2.8 /yn%0Wish
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 D`C#O
7.N
− Profile:Channel-Guide 67{>x[
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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: ZWKrnG
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: \WN,.
− Length:5300 x{.+i'
− Width:60 do>,ELS+m
图8.设置晶圆尺寸
1QPS=;|)
{ICW"Rlcs
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: - IF3'VG
− Material:Cladding h.ln%6:d
− 点击OK以激活布局窗口 j68_3zpl
图9.晶圆材料设置
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xG|T_|?
4) 布局窗口 Nt5`F@;B
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: -fILXu
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 pi|P&?yw
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ?!Bf# "TY
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
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图11.调整Z方向和X方向的显示比率 b)1v:X4Bv=
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 f+K vym.
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: !/;/ X\d
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 8uZM%7kI6+
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 |0Y:
/uL#)
图13 .绘制第一个线性波动
XVwJr""+
QQ:2987619807
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