切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1331阅读
    • 0回复

    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    在线infotek
     
    发帖
    4604
    光币
    17400
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: AD4Ot5  
    • 定义MMI耦合器的材料 ;.|).y1/`  
    • 定义布局设定; $Oi@B)=4d+  
    • 创建一个MMI耦合器; (|_N2R!  
    • 插入输入面; 61=D&lb  
    • 运行模拟 iz5WWn^  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 9Netnzv%  
    2SlOqH1  
    1. 定义MMI耦合器的材料 0 V3`rK  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: =#K$b *#  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“  g1B[RSWv  
    N_eZz#);  
    图1.初始性能对话框
    KL4vr|i,  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”  k.("<)  
    C,#FH}  
    图2.轮廓设计窗口
    i! DO  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 c]!Yb-  
    flzHZH  
    ^*A8 NdaB  
    图3.电介质材料创建窗口
    ExJexjOWI^  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 9e>Dqlv  
    − Name : Guide OD`?BM  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 W*/0[|n*  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ^;gwD4(hs  
    E|>oseR  
    图4.创建Guide材料
    >YuiCf?c7  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: AV:P/M^B  
    − Name : Cladding eh5j  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 .uwD;j +#  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 'mR9Uqq\  
    ]v,>!~8r  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 i1k#WgvZR  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:  Re^~8q[  
    − Name : Guide_Channel f!n0kXVu6U  
    − 2D profile definition: Guide "Acc]CqH*  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 l\%LT{$e  
    %?WR 9}KU0  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 N6wCCXd  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: [/iT D=O,  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 JLFZy\  
    − Width:2.8 /yn%0Wish  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 D`C#O 7.N  
    − Profile:Channel-Guide 6 7{>x[  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    By7? <A  
    : ZWKrnG  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: \WN ,.  
    − Length:5300 x{.+i'  
    − Width:60 do>,ELS+m  
    图8.设置晶圆尺寸
    1QPS=;|)  
    {ICW"R lcs  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: -IF3'VG  
    − Material:Cladding h.ln%6:d  
    − 点击OK以激活布局窗口 j68_3zpl  
    图9.晶圆材料设置
    gvLzE&V}  
    xG|T_|?  
    4) 布局窗口 Nt5`F@;B  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    !CO1I-yL  
    ejjL>'G/|%  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: -fILXu  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 pi|P&?yw  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ?!Bf# "TY  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 +91j 1?  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 b)1v:X4Bv=  
    图12.最终布局显示
      iE8  
    k6b0&il  
    3. 创建一个MMI耦合器 f+K vym.  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: !/;/ X\d  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 8uZM%7kI6+  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 |0Y: /uL#)  
    图13 .绘制第一个线性波动
    XVwJr""+  
    QQ:2987619807
    {#o0vWS>  
     
    分享到